ob体育: XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率
来源： 作者：ob体育 2023年05月25
美国Silicon晶振Si511 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL技术，提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统的XO不同，其中每个输出频率需要不同的晶体，Si511差分晶振使用一个固定晶体和Skyworks Solutions的专有DSPLL，合成器，以生成该范围内的任何频率。此IC基于，该方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性，改进的机械坚固性和优异的稳定性。此外，该解决方案提供卓越的电源噪声抑制，简化了低抖动时钟在嘈杂的环境中生成。晶体ESR和DLD分别为，经过生产测试，以保证性能并提高可靠性。Si511石英晶体振荡器在工厂可配置用于各种各样的用户规范，包括频率、电源电压、输出格式、输出使能极性，以及稳定性。具体配置在，装运，消除了长交付周期和非经常性工程费用，与自定义频率振荡器关联。应用于：SONET/SDH/OTN，千兆以太网，光纤通道/SAS/SATA，PCI Express，3G-SDI/HD-SDI/SDI，电信,交换机/路由器，FPGA/ASIC时钟生成。XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率
XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率
Si511系列特征：
支持来自的任何频率100KHz至250MHz，
低抖动操作，2到4周的交付周期，
完全稳定性包括10年老化，
全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD
电源噪声滤波器的片上LDO调节器
工作电压：3.3、2.5或1.8V贴片晶振
差分器(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS输出选项，
可选集成1：2 CMOS扇频缓冲区
快速抑制OE和接通电源
行业标准7.0x5.0mm，5.0x3.2mm，和3.2x2.5mm封装
无铅，符合RoHS标准，
工作温度：-40℃至+85℃
| 进口贴片晶振 | 品牌 | 型号 | 频率 | 电压 | 频率稳定度 |
| 511FBA125M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA100M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA148M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA156M250AAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA200M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA100M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA000110BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA148M500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA200M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA200M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA25M0000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FCA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±20ppm |
| 511BCA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 511BBA74M2500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA156M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA156M250AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA106M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA000149BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA106M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA125M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA106M250AAG | 进口晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA148M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA156M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA156M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA156M250AAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA155M520AAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA155M520AAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA000149BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA106M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA74M2500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA000149BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA106M250AAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA000149AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA74M2500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA000149AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA74M2500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA000149AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA155M520BAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA000110BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA148M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA155M520BAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA155M520AAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA148M500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA148M500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA156M250AAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA212M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 212.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA200M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA212M500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 212.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511SAA100M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 1.8V | ±50ppm |
| 511FBA125M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA125M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA200M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA74M2500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA74M2500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA106M250AAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA155M520BAG | Silicon晶振 | Si511 | 155.52MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA000110BAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA000110AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA000110AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA000110AAG | Silicon晶振 | Si511 | 148.35165MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA212M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 212.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA212M500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 212.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA212M500AAG | Silicon晶振 | Si511 | 212.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA212M500AAG | 有源晶振 | Si511 | 212.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA200M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511SBA156M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 1.8V | ±50ppm |
| 511ABA100M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA125M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA100M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA125M000BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA106M250BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA106M250BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA106M250BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA000149BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA74M2500BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA000149BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA74M2500BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA000149BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.175824MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA74M2500BAGR | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511ABA100M000AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA125M000AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA100M000AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
Si511系列特征：
支持来自的任何频率100KHz至250MHz，
低抖动操作，2到4周的交付周期，
完全稳定性包括10年老化，
全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD
电源噪声滤波器的片上LDO调节器
工作电压：3.3、2.5或1.8V贴片晶振
差分器(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS输出选项，
可选集成1：2 CMOS扇频缓冲区
快速抑制OE和接通电源
行业标准7.0x5.0mm，5.0x3.2mm，和3.2x2.5mm封装
无铅，符合RoHS标准，
工作温度：-40℃至+85℃
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